英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行

发布日期： 2025-01-04 阅读量： 作者： 小编

　　在2024年，英特尔持续推进技术创新，在多个技术领域见证了耕耘和收获，从制程、封装技术到互连微缩的未来探索，再到神经拟态计算、硅光集成等创新领域，足迹所至都是英特尔一年以来不断探索的印记。

　　-基于Intel 18A制程打造的首批产品——AI PC客户端处理器Panther Lake和服务器处理器Clearwater Forest，其样片于8月出厂、上电运行并顺利启动操作系统，预计将于2025年开始量产。

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图1)

　　-英特尔7月发布Intel 18A PDK（制程设计套件）的1.0版本，让代工客户能够在基于Intel 18A的芯片设计中利用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。

　　在2月Intel Foundry Direct Connect大会上，英特尔首推面向AI时代的系统级代工（systems foundry），提供从工厂网络到软件的全栈式优化，让客户能够在整个系统层面进行创新；并拓展制程技术路线A节点的演化版本，包括龙8国际网站性能提升（P）、功能拓展（E）和用于3D堆叠的硅通孔技术（T）；

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图2)

　　-2024年1月，英特尔实现Foveros 3D先进封装技术的大规模量产，该技术让英特尔及其客户能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块，并为多种芯片的组合提供了灵活的选择，带来更佳的功耗、性能和成本优化。

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图3)

　　•在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线%，有助于改善芯片内互连；

　　•选择性层转移（selective layer transfer），一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）；

　　•栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管，在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平；

　　•用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层模块，进一步加速GAA技术创新。

　　-英特尔硅光集成解决方案团队于今年6月展示了业界领先的、完全集成的OCI（光学计算互连）芯粒，该芯粒与英特尔CPU封装在一起，运行线Gbps通道, 有望满足AI基础设施日益增长的对更高带宽、更低功耗和更长传输距离的需求。

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图4)

　　-5月，英特尔的量子硬件研究人员开发了一种高通量的300毫米低温检测工艺，使用CMOS制造技术，在整个晶圆上收集有关自旋量子比特器件性能的大量数据。

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图5)

　　-英特尔4月发布代号为Hala Point的大型神经拟态系统，基于英特尔Loihi 2神经拟态处理器打造而成，旨在支持类脑AI领域的前沿研究，解决AI目前在效率和可持续性等方面的挑战。在上一代系统的基础上，Hala Point将神经元容量提高了10倍以上，大致相当于猫头鹰的大脑或卷尾猴的大脑皮层，并将性能提高了12倍。

英特尔2024技术篇章：矢志探索砥砺前行(图6)

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