long8：东方财富证券：算力瓶颈加速突破HBM4开启高端存储新一轮周期

发布日期： 2026-03-07 阅读量： 作者： 小编

　　智通财经APP获悉，东方财富证券发布研报称，HBM正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节；技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。2025年至2026年间，SK海力士、美光、三星围绕HBM4密集推进量产与客户导入。在AI服务器与数据中心需求高景气背景下，全球HBM产能与技术能力高度集中于三大厂商，行业集中度与进入壁垒同步抬升，或将推动存储龙头在2026年前后迎来业绩与估值双升窗口。推荐关注国产存储芯片相关厂商在国产化替代趋势下的投资机会。

　　HBM需求持续高景气，2026年在先进制程中的投片占比预计提升至35%，HBM4位宽升级至2048bit、单栈带宽迈向2TB/s，叠加H200实现4.8TB/s带宽与141GB容量，高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效，HBM正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节；技术壁垒叠加产能爬坡，产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。当前HBM良率约50%-60%、生产周期长达两个季度，三大原厂主导格局下2025-2026年高端产能持续紧平衡，在代际升级与供给约束双重作用下，HBM业绩有望在2026年前后进一步释放。

　　算力需求共振释放，HBM确立AI训练与推理阶段不可替代的核心存储底座地位

　　受2025年全球AI基础设施持续扩张驱动，HBM市场规模预计突破250亿美元，2025Q2三大原厂合计占据全球DRAM约94%份额，其中HBM领域出货集中度更高，2025Q2SK海力士出货占比约62%，在供给紧平衡与库存偏紧背景下，HBM价格中枢维持高位，成为拉动存储行业进入新一轮上行周期的关键变量；代际升级加速推进，HBM4打开成长空间。

　　2025年HBMlong8官方入口4完成量产导入并于2026年进入放量阶段，接口位宽由1024位提升至2048位、带宽目标超过2TB每秒，单价较HBM3E提升50%以上，叠加头部厂商将超过20%的DRAM产线年实现数倍增长，在技术壁垒与资本开支双重加持下，HBM正重塑全球存储竞争格局并释放中长期业绩弹性。

　　2025年至2026年间，SK海力士、美光、三星围绕HBM4密集推进量产与客户导入，单堆栈带宽由HBM3E阶段约1TB/s提升至约2TB/s，容量扩展至48GB及以上，HBM4单价较HBM3E提升约50%，其中SK海力士率先完成HBM4开发并进入出货节奏，巩固其全球领先地位，龙头凭借技术与产能优势在高端AIGPU供应链中强化议价能力与盈利弹性；技术路线分化叠加定制化趋势兴起，头部厂商构筑差异化竞争壁垒。

　　美光规划2026年量产HBM4并推进HBM4E研发，引入可定制逻辑基础芯片强化与下一代AI加速器适配能力，三星HBM3E已获NVIDIA认证并计划2026年量产HBM4，在AI服务器与数据中心需求高景气背景下，全球HBM产能与技术能力高度集中于三大厂商，行业集中度与进入壁垒同步抬升，或将推动存储龙头在2026年前后迎来业绩与估值双升窗口。

　　2025年前三季度中微公司营收达80.63亿元同比增长30%以上、归母净利润同比+32.64%，刻蚀与薄膜设备向10纳米及以下先进制程延伸并支撑HBM相关DRAM制造。

　　华天科技2025年前三季度收入123.80亿元同比+17.55%、归母净利润同比+51.98%，通富微电同期收入201.16亿元同比+17.77%、归母净利润同比+55.74%，HBM封装良率普遍达98%以上，叠加长电科技2024年营收359.62亿元同比+21.24%并取得HBM3E封测订单，显示2025至2026年在AI算力与HBM放量背景下，封测与设备环节盈利修复与国产替代逻辑同步强化；平台化存储与系统级创新共振，HBM时代基础存储能力构筑第二增长曲线.12%、归母净利润同比+28.01%，2025H1存储产品收入101.95亿元占比99.99%，推出集成封装mSSD并布局CXL2.0与企业级SSD，在HBM加速渗透及AI服务器需求扩张趋势下，通过定制化与封装形态创新提升系统集成效率与客户黏性，或将增加2025至2026年高带宽存储平台业绩。

　　推荐关注国产存储芯片相关厂商在国产化替代趋势下的投资机会，重点包括：存储设备、存储产品平台化、存储封装技术体系、高端HBM封测以及国产HBM产业链补位等核心方向，建议关注中微公司(688012.SH)、江波龙(301308.SZ)、华天科技(002185.SZ)、通富微电(002156.SZ)、长电科技(600584.SH)。

　　HBM需求波动与AI算力投资节奏不及预期风险：HBM需求高度依赖AI服务器、数据中心及高端GPU资本开支，若全球宏观经济波动、云厂商与互联网巨头算力投资放缓，或AI训练与推理商业化进展低于预期，HBM出货增速与价格中枢可能阶段性承压，产业链景气度存在回落风险。

　　技术迭代与良率爬坡不及预期风险：HBM3E向HBM4演进过程中，对DRAM制程、TSV良率及CoWoS等先进封装提出更高要求，若关键工艺良率提升不达预期，或新规格认证周期拉长，可能影响产品放量节奏，压制厂商盈利能力与估值弹性。

　　行业集中度高与竞争加剧风险：当前H long8官方入口BM市场由SK海力士、三星、美光为主导，若头部厂商加速扩产、通过价格策略抢占份额，或新进入者技术突破超预期，可能打破紧供给格局，导致HBM价格与毛利率出现波动。

　　政策与产业链安全不确定性风险：HBM高度依赖全球半导体设备、材料与先进封装协同，若国际贸易环境变化、出口管制升级或产业政策调整超预期，可能对关键设备、EDA工具及下游客户拓展产生不利影响，进而扰动HBM产业链国产化推进节奏。

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