三星半导体亮相OCPChina2024分享AI时代存储创新技术

发布日期： 2024-10-17 阅读量： 作者： 小编

　　8月8日，在北京举办的2024年开放计算中国峰会（OCPChina）上，三星电子副总裁、先行开发团队负责人张实完（SilwanChang）发表了题为AI革新：AI时龙8国际唯一官网代的存储创新之路的主题演讲。

三星半导体亮相OCPChina2024分享AI时代存储创新技术(图1)

　　三星电子副总裁，先行开发团队负责人张实完（SilwanChang）发表主题演讲

　　张实完指出，生成式AI的浪潮席卷全球，为各行各业带来颠覆性变革。面对挑战，三星凭借对未来趋势的预判和持续不断的技术创新，介绍了一系列推动行业发展的技术和高容量产品，为AI时代打造高容量、高性能和低功耗的存储解决方案。

　　三星预测到大容量存储变得日益重要，并且在两年前发布了相关产品的发展路线。于今年年初开始量产的128TBSSD正是基于对高容量存储需求的预判。演讲中指出，三星的目标是向市场提供基于TLC和QLCNAND技术的各种规格的高容量产品，以满足AI应用对存储容量不断增长的需求。三星2023年末推出了PM1743a32TB/64TB，并提及数据中心级固态硬盘产品PM9D3a，以及基于第九代VNAND技术的PM1753等高容量产品在未来的进展。

三星半导体亮相OCPChina2024分享AI时代存储创新技术(图2)

　　性能方面，三星也一直在尝试突破。为了AI训练和推理提供强劲性能保障，即将推出的新一代PCIeGen5SSDPM1753，与上一代产品相比，顺序写入性能提升1.6倍，随机读写速度分别提升1.3和1.7倍。在追求技术突破的同时，AI处理功耗的重要性也不容忽视。同样以基于TLC技术的PM1753为例，其AI工作负载下的顺序写入能效比上一代相比提高1.7倍，在传统服务器中的随机I/O操作的能效也提高了1.6倍。AI应用既要优化I/O操作时的功耗，同时也要降低SSD在待机状态下的功耗。PM1753的闲置功耗已经降至4W，下一代产品计划将闲置功耗压缩至2W，助力数据中心实现节能减排的目标。PM1753有望成为生成式AI服务器应用所需的出色解决方案。

　　在演讲末尾，张实完还介绍了三星近期正在进行客户测试的HBM3E内存产品，预计其速度可高达9.8Gbps，带宽不低于1TB/s。而同样备受瞩目的下一代HBM4产品预计会在2025年介绍给大家。同时，三星还提及了业界首款基于SoC（处理器）的CMM产品CMM-H，包括CMM-PM和CMM-HTM，分别针对数据持久性和虚拟机迁移需求，为AI时代提供更强大的内存解决方案。

三星半导体亮相OCPChina2024分享AI时代存储创新技术(图3)

　　在本届大会上，三星PM9D3a固态硬盘荣获开放计算最佳创新奖。作为三星业界首款8通道PCIeGen5SSD，PM9D3a突破了现有闪存层次结构的限制，实现了每TB高达50KIOPS的随机写入性能，并率先支持FDP技术，已经在美国以及中国的主要数据中心完成引入测试。其卓越性能和前瞻性设计获得了评审委员会的一致认可。

　　三星将继续与OCP社区紧密合作，推动开放计算生态系统的发展，以生态融合、智能化实践和技术创新，为全球用户打造更加高效、可靠、可持续的存储解决方案。

　　三星以不断创新的思想与技术激励世界、塑造未来。重新定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数码电器、网络系统、存储、系统集成电路、半导体代工制造及LED解决方案。

　　开放数据中心委员会（ODCC）专注于技术研究和创新，每年举办的开放数据中心大会已成为备受瞩目的业界盛事。秉承着开放、创新、合作、共赢的理念，ODCC为提升我国数据中心产业的技术实力和竞争力做出了重要贡献。每年的大会吸引了超过万人参会，并得到近百家媒体的广泛关注。至今，ODCC已累计发布了近200项成果，对推动和引领数据中心产业的发展起到了积极的作用，成为了行业的风向标。

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