合肥领航微系统集成申请MEMS芯片制备工艺专利将位于振膜区域的最上层的电极引出

发布日期： 2024-12-12 阅读量： 作者： 小编

　　金融界 2024 年 12 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥领航微系统集成有限公司申请一项名为“一种 MEMS 芯片制备工艺”的专利，公开号 CN 119100331 A，申请日期为 2023 年 9 月。

　　专利摘龙8国际唯一官网要显示，本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及 MEMS 芯片制备工艺，包括以下步骤：在衬底的正面依次生长金属层和压电层；由上至下依次刻蚀金属层和压电层；在所述缝隙内部生长聚合物；在最上层金属层远离衬底的平面上生长金属连接层，并刻蚀金属连接层，使金属连龙8国际唯一官网接层图形化，刻蚀后的金属连接层电性连接最上层金属层位于振膜区域内的部分和位于非振膜区域内的部分，聚合物对金属连接层位于缝隙内的部分进行支撑，避免金属连接层位于缝隙内的部分悬空。本发明利用聚合物走线的方式代替原有的连接梁走线的方式，在保证结构对称，保证芯片器件的性能的同时，将位于振膜区域的最上层的电极引出。